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2SK3666-3-TB-E

Modello di prodotti : 2SK3666-3-TB-E
Costruttore / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione : JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 301721 pcs
Specifiche 2SK3666-3-TB-E.pdf
Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id 180mV @ 1µA
Contenitore dispositivo fornitore 3-CP
Serie -
Resistenza - RDS (on) 200 Ohms
Potenza - Max 200mW
imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi 869-1107-1
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 4 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V
Tipo FET N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP
Scolo corrente (Id) - Max 10mA
Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0) 1.2mA @ 10V
Numero di parte base 2SK3666
2SK3666-3-TB-E
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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