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APTCV50H60T3G

Modello di prodotti : APTCV50H60T3G
Costruttore / Marca : Microsemi
Descrizione : IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 742 pcs
Specifiche 1.APTCV50H60T3G.pdf2.APTCV50H60T3G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Contenitore dispositivo fornitore SP3
Serie -
Potenza - Max 176W
Contenitore / involucro SP3
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Termistore NTC Yes
Tipo montaggio Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
Ingresso Standard
Tipo IGBT NPT, Trench Field Stop
Descrizione dettagliata IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP3
Corrente - Cutoff collettore (max) 250µA
Corrente - collettore (Ic) (max) 80A
Configurazione Full Bridge
Microsemi Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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