Modello di prodotti : | APTCV50H60T3G |
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Costruttore / Marca : | Microsemi |
Descrizione : | IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3 |
Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 742 pcs |
Specifiche | 1.APTCV50H60T3G.pdf2.APTCV50H60T3G.pdf |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 600V |
Vce (on) (max) a VGE, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
Contenitore dispositivo fornitore | SP3 |
Serie | - |
Potenza - Max | 176W |
Contenitore / involucro | SP3 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Termistore NTC | Yes |
Tipo montaggio | Chassis Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Tipo IGBT | NPT, Trench Field Stop |
Descrizione dettagliata | IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP3 |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 250µA |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 80A |
Configurazione | Full Bridge |