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APTDC40H1201G

Modello di prodotti : APTDC40H1201G
Costruttore / Marca : Microsemi
Descrizione : POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 201 pcs
Specifiche APTDC40H1201G.pdf
Tensione - Picco inversa (max) 1.2kV
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.8V @ 40A
Tecnologia Silicon Carbide Schottky
Contenitore dispositivo fornitore SP1
Serie -
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro SP1
Altri nomi APTDC40H1201GMI
APTDC40H1201GMI-ND
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo Single Phase
Descrizione dettagliata Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 1.2kV Chassis Mount SP1
Corrente - Dispersione inversa a Vr 800µA @ 1200V
Corrente - raddrizzata media (Io) 40A
APTDC40H1201G
Microsemi Microsemi Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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