Modello di prodotti : | APTGT35DA120D1G |
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Costruttore / Marca : | Microsemi |
Descrizione : | IGBT 1200V 55A 205W D1 |
Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 4095 pcs |
Specifiche | APTGT35DA120D1G.pdf |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 1200V |
Vce (on) (max) a VGE, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
Contenitore dispositivo fornitore | D1 |
Serie | - |
Potenza - Max | 205W |
Contenitore / involucro | D1 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Termistore NTC | No |
Tipo montaggio | Chassis Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Descrizione dettagliata | IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 205W Chassis Mount D1 |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 5mA |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 55A |
Configurazione | Single |