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APTM120DU29TG

Modello di prodotti : APTM120DU29TG
Costruttore / Marca : Microsemi
Descrizione : MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5074 pcs
Specifiche 1.APTM120DU29TG.pdf2.APTM120DU29TG.pdf
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 5mA
Contenitore dispositivo fornitore SP4
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 348 mOhm @ 17A, 10V
Potenza - Max 780W
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro SP4
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 374nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Tensione drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 34A
Microsemi Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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