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APTMC120AM12CT3AG

Modello di prodotti : APTMC120AM12CT3AG
Costruttore / Marca : Microsemi
Descrizione : MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 48 pcs
Specifiche APTMC120AM12CT3AG.pdf
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 30mA (Typ)
Contenitore dispositivo fornitore SP3
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 12 mOhm @ 150A, 20V
Potenza - Max 925W
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro SP3
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8400pF @ 1000V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 483nC @ 20V
Tipo FET 2 N Channel (Phase Leg)
Caratteristica FET Silicon Carbide (SiC)
Tensione drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1200V (1.2kV) 220A (Tc) 925W Chassis Mount SP3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 220A (Tc)
Microsemi Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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