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APTSM120AM25CT3AG

Modello di prodotti : APTSM120AM25CT3AG
Costruttore / Marca : Microsemi
Descrizione : POWER MODULE - SIC
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 115 pcs
Specifiche
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 4mA
Contenitore dispositivo fornitore SP3
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 25 mOhm @ 80A, 20V
Potenza - Max 937W
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro SP3
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10200pF @ 1000V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 544nC @ 20V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual), Schottky
Caratteristica FET Silicon Carbide (SiC)
Tensione drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 148A (Tc) 937W Chassis Mount SP3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 148A (Tc)
Microsemi Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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