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BSO615N

Modello di prodotti :	BSO615N
Costruttore / Marca :	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione :	MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Stato RoHS :	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	5150 pcs
Specifiche	BSO615N.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 20µA
Contenitore dispositivo fornitore	PG-DSO-8
Serie	SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs	150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Potenza - Max	2W
imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi	BSO615NINTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.6A
Numero di parte base	BSO615

International Rectifier (Infineon Technologies) Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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