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BSZ035N03LSGATMA1

Modello di prodotti : BSZ035N03LSGATMA1
Costruttore / Marca : International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 61995 pcs
Specifiche BSZ035N03LSGATMA1.pdf
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSDSON-8
Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 3.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
Altri nomi BSZ035N03LS G
BSZ035N03LSG
BSZ035N03LSGATMA1TR
BSZ035N03LSGINTR
BSZ035N03LSGINTR-ND
BSZ035N03LSGXT
SP000278809
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4400pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata N-Channel 30V 20A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 40A (Tc)
BSZ035N03LSGATMA1
International Rectifier (Infineon Technologies) International Rectifier (Infineon Technologies) Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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