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CY7C1412BV18-200BZC

Modello di prodotti : CY7C1412BV18-200BZC
Costruttore / Marca : Cypress Semiconductor
Descrizione : IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Stato RoHS : Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 5786 pcs
Specifiche CY7C1412BV18-200BZC.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.9 V
Tecnologia SRAM - Synchronous, QDR II
Contenitore dispositivo fornitore 165-FBGA (15x17)
Serie -
imballaggio Tray
Contenitore / involucro 165-LBGA
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 36Mb (2M x 18)
Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria SRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 200MHz 165-FBGA (15x17)
Frequenza dell'orologio 200MHz
Numero di parte base CY7C1412
CY7C1412BV18-200BZC
Cypress Semiconductor Cypress Semiconductor Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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