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DS1220AB-100+

Modello di prodotti : DS1220AB-100+
Costruttore / Marca : Maxim Integrated
Descrizione : IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 3869 pcs
Specifiche DS1220AB-100+.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 100ns
Tensione di alimentazione - 4.75 V ~ 5.25 V
Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Contenitore dispositivo fornitore 24-EDIP
Serie -
imballaggio Tube
Contenitore / involucro 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Altri nomi DS1220AB100
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 16Kb (2K x 8)
Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria NVSRAM
Produttore tempi di consegna standard 6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 100ns 24-EDIP
Numero di parte base DS1220A
Tempo di accesso 100ns
DS1220AB-100+
Maxim Integrated Maxim Integrated Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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