Casa Centro di prodotti Prodotti a semiconduttore discreti Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzatoDTA113ZETL

DTA113ZETL

Modello di prodotti :	DTA113ZETL
Costruttore / Marca :	LAPIS Semiconductor
Descrizione :	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
Stato RoHS :	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	522160 pcs
Specifiche	1.DTA113ZETL.pdf 2.DTA113ZETL.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor	PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore	EMT3
Serie	-
Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms
Resistor - Base (R1)	1 kOhms
Potenza - Max	150mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SC-75, SOT-416
Altri nomi	DTA113ZETL-ND DTA113ZETLTR
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	250MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	33 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA
Numero di parte base	DTA113

LAPIS Semiconductor Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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