Casa Centro di prodotti Prodotti a semiconduttore discreti Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzatoDTC124EUBHZGTL

DTC124EUBHZGTL

Modello di prodotti :	DTC124EUBHZGTL
Costruttore / Marca :	LAPIS Semiconductor
Descrizione :	NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Stato RoHS :	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	955094 pcs
Specifiche	1.DTC124EUBHZGTL.pdf 2.DTC124EUBHZGTL.pdf
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor	NPN - Pre-Biased + Diode
Contenitore dispositivo fornitore	UMT3F
Serie	Automotive, AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2)	22 kOhms
Resistor - Base (R1)	22 kOhms
Potenza - Max	200mW
imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	SC-85
Altri nomi	DTC124EUBHZGTLCT
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	7 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	250MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	56 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	-
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA

LAPIS Semiconductor Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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