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EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

Modello di prodotti : EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR
Costruttore / Marca : Micron Technology
Descrizione : IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4177 pcs
Specifiche EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.14 V ~ 1.95 V
Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2
Contenitore dispositivo fornitore 134-VFBGA (10x11.5)
Serie -
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 134-VFBGA
Altri nomi EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR-ND
EDB1316BDBH-1DAUT-F-RTR
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TC)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)
Frequenza dell'orologio 533MHz
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR
Micron Technology Micron Technology Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
Acquista EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR con fiducia da {Define: Sys_Domain}, 1 anno di garanzia
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