Modello di prodotti : | EMG3T2R |
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Costruttore / Marca : | LAPIS Semiconductor |
Descrizione : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3 |
Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 582311 pcs |
Specifiche | 1.EMG3T2R.pdf2.EMG3T2R.pdf |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Tipo transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Contenitore dispositivo fornitore | EMT3 |
Serie | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Potenza - Max | 150mW |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | SC-75, SOT-416 |
Altri nomi | EMG3T2R-ND EMG3T2RTR |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 10 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenza - transizione | 250MHz |
Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3 |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
Numero di parte base | *MG3 |