Casa Centro di prodotti Prodotti a semiconduttore discreti Transistor-bipolare (BJT)-matriciEMZ51T2R

EMZ51T2R

Modello di prodotti :	EMZ51T2R
Costruttore / Marca :	LAPIS Semiconductor
Descrizione :	TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6
Stato RoHS :	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	435780 pcs
Specifiche	1.EMZ51T2R.pdf 2.EMZ51T2R.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	20V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor	NPN, PNP
Contenitore dispositivo fornitore	EMT6
Serie	-
Potenza - Max	150mW
imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	SOT-563, SOT-666
Altri nomi	EMZ51T2RDKR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	400MHz, 350MHz
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 20V 200mA 400MHz, 350MHz 150mW Surface Mount EMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 6V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	200mA

LAPIS Semiconductor Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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