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EPC2023ENGR

Modello di prodotti : EPC2023ENGR
Costruttore / Marca : EPC
Descrizione : TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 6499 pcs
Specifiche EPC2023ENGR.pdf
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 20mA
Vgs (Max) +6V, -4V
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore Die
Serie eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs 1.3 mOhm @ 40A, 5V
Dissipazione di potenza (max) -
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro Die
Altri nomi 917-EPC2023ENGRTR
EPC2023ENGRT
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata N-Channel 30V 60A (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Ta)
EPC2023ENGR
EPC EPC Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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