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EPC2101

Modello di prodotti : EPC2101
Costruttore / Marca : EPC
Descrizione : TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 6393 pcs
Specifiche EPC2101.pdf
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Contenitore dispositivo fornitore Die
Serie eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V
Potenza - Max -
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro Die
Altri nomi 917-1181-2
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A, 38A
EPC2101
EPC EPC Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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