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EPC2107ENGRT

Modello di prodotti : EPC2107ENGRT
Costruttore / Marca : EPC
Descrizione : TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 33224 pcs
Specifiche EPC2107ENGRT.pdf
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Contenitore dispositivo fornitore 9-BGA (1.35x1.35)
Serie eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Potenza - Max -
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 9-VFBGA
Altri nomi 917-EPC2107ENGRTR
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Tipo FET 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Caratteristica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain-source (Vdss) 100V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A, 500mA
EPC2107ENGRT
EPC EPC Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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