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FDMS3615S

Modello di prodotti : FDMS3615S
Costruttore / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 52225 pcs
Specifiche FDMS3615S.pdf
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore Power56
Serie PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs 5.8 mOhm @ 16A, 10V
Potenza - Max 1W
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
Altri nomi FDMS3615S-ND
FDMS3615STR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 13V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 25V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 16A, 18A 1W Surface Mount Power56
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A, 18A
FDMS3615S
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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