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FDPF55N06

Modello di prodotti : FDPF55N06
Costruttore / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 60V 55A TO-220F
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 39195 pcs
Specifiche FDPF55N06.pdf
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F
Serie UniFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 22 mOhm @ 27.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1510pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata N-Channel 60V 55A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 55A (Tc)
FDPF55N06
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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