Modello di prodotti : | FGH40T65SH-F155 |
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Costruttore / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descrizione : | IGBT 650V 80A 268W TO-247-3 |
Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 14577 pcs |
Specifiche | FGH40T65SH-F155.pdf |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 650V |
Vce (on) (max) a VGE, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
Condizione di test | 400V, 40A, 6 Ohm, 15V |
Td (on / off) @ 25 ° C | 19.2ns/65.6ns |
di scambio energetico | 1.01mJ (on), 297µJ (off) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 Long Leads |
Serie | - |
Potenza - Max | 268W |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-247-3 |
Altri nomi | FGH40T65SH_F155 FGH40T65SH_F155-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Tipo di ingresso | Standard |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
carica gate | 72.2nC |
Descrizione dettagliata | IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-247 Long Leads |
Corrente - collettore Pulsed (Icm) | 120A |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 80A |