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FQPF27P06

Modello di prodotti : FQPF27P06
Costruttore / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET P-CH 60V 17A TO-220F
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 34307 pcs
Specifiche FQPF27P06.pdf
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F
Serie QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 70 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 47W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
Altri nomi FQPF27P06-ND
FQPF27P06FS
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 9 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata P-Channel 60V 17A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)
FQPF27P06
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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