| Modello di prodotti : | FQPF33N10L |
|---|---|
| Costruttore / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione : | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F |
| Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 54527 pcs |
| Specifiche | FQPF33N10L.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220F |
| Serie | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 52 mOhm @ 9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 41W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi | FQPF33N10L-ND FQPF33N10LFS |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 5 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1630pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
