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HN1C01FE-Y,LF

Modello di prodotti : HN1C01FE-Y,LF
Costruttore / Marca : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 618131 pcs
Specifiche HN1C01FE-Y,LF.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor 2 NPN (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore ES6
Serie -
Potenza - Max 100mW
imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666
Altri nomi HN1C01FE-Y(T5LFTCT
HN1C01FE-Y(T5LFTCT-ND
HN1C01FE-YLFCT
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 80MHz
Descrizione dettagliata Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 150mA
HN1C01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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