Casa Centro di prodotti Prodotti a semiconduttore discreti Transistor-bipolare (BJT)-matriciHN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F)

Modello di prodotti :	HN1C03F-B(TE85L,F)
Costruttore / Marca :	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :	TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
Stato RoHS :	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	4999 pcs
Specifiche	HN1C03F-B(TE85L,F).pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	20V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	100mV @ 3mA, 30mA
Tipo transistor	2 NPN (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore	SM6
Serie	-
Potenza - Max	300mW
imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	SC-74, SOT-457
Altri nomi	HN1C03F-B(TE85LF)CT
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	30MHz
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 300mW Surface Mount SM6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	350 @ 4mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	300mA

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