| Modello di prodotti : | HUF76429S3ST |
|---|---|
| Costruttore / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione : | MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK |
| Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 27556 pcs |
| Specifiche | HUF76429S3ST.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie | UltraFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 22 mOhm @ 47A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | HUF76429S3ST-ND HUF76429S3STTR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 13 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1480pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 47A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
