Casa Centro di prodotti Prodotti a semiconduttore discreti Transistor-bipolare (BJT)-matriciIMZ1AT108

IMZ1AT108

Modello di prodotti :	IMZ1AT108
Costruttore / Marca :	LAPIS Semiconductor
Descrizione :	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Stato RoHS :	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	379983 pcs
Specifiche	1.IMZ1AT108.pdf 2.IMZ1AT108.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor	NPN, PNP
Contenitore dispositivo fornitore	SMT6
Serie	-
Potenza - Max	300mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SC-74, SOT-457
Altri nomi	IMZ1AT108TR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	180MHz, 140MHz
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 180MHz, 140MHz 300mW Surface Mount SMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 6V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	150mA
Numero di parte base	*MZ1

LAPIS Semiconductor Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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