| Modello di prodotti : | IPB80N06S207ATMA1 |
|---|---|
| Costruttore / Marca : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione : | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5518 pcs |
| Specifiche | IPB80N06S207ATMA1.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 180µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 68A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | IPB80N06S2-07 IPB80N06S2-07-ND IPB80N06S207ATMA1TR SP000218818 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3400pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 55V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 55V 80A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
International Rectifier (Infineon Technologies)
