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IRF630STRR

Modello di prodotti : IRF630STRR
Costruttore / Marca : Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione : MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Stato RoHS : Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 5215 pcs
Specifiche
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 400 mOhm @ 5.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 74W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 200V
Descrizione dettagliata N-Channel 200V 9A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
IRF630STRR
Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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