Casa Centro di prodotti Prodotti a semiconduttore discreti Transistor-FET, MOSFET-singoloIRF7834PBF

IRF7834PBF

Modello di prodotti :	IRF7834PBF
Costruttore / Marca :	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione :	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
Stato RoHS :	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	51498 pcs
Specifiche	IRF7834PBF.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.25V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs	4.5 mOhm @ 19A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)
imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi	SP001565546
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3710pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 19A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Ta)

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