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IS61NVP51236-250B3-TR

Modello di prodotti : IS61NVP51236-250B3-TR
Costruttore / Marca : ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrizione : IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4645 pcs
Specifiche IS61NVP51236-250B3-TR.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 2.375 V ~ 2.625 V
Tecnologia SRAM - Synchronous
Contenitore dispositivo fornitore 165-TFBGA (13x15)
Serie -
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 165-TBGA
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria SRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 250MHz 2.6ns 165-TFBGA (13x15)
Frequenza dell'orologio 250MHz
Tempo di accesso 2.6ns
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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