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IXFH32N50

Modello di prodotti : IXFH32N50
Costruttore / Marca : IXYS Corporation
Descrizione : MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AD
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4991 pcs
Specifiche IXFH32N50.pdf
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH)
Serie HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 150 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-247-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500V
Descrizione dettagliata N-Channel 500V 32A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Tc)
IXFH32N50
IXYS Corporation IXYS Corporation Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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