Modello di prodotti : | IXTH34N65X2 |
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Costruttore / Marca : | IXYS Corporation |
Descrizione : | MOSFET N-CH 650V 34A TO-247 |
Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 7412 pcs |
Specifiche | IXTH34N65X2.pdf |
Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 4mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 105 mOhm @ 17A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 540W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-247-3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 24 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3120pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 34A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |