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JAN1N3671A

Modello di prodotti : JAN1N3671A
Costruttore / Marca : Microsemi
Descrizione : DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
Stato RoHS : Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 702 pcs
Specifiche JAN1N3671A.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.35V @ 38A
Tensione - inversa (Vr) (max) 800V
Contenitore dispositivo fornitore DO-203AA (DO-4)
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie Military, MIL-PRF-19500/260
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro DO-203AA, DO-4, Stud
Altri nomi 1086-16802
1086-16802-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 150°C
Tipo montaggio Chassis, Stud Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo Standard
Descrizione dettagliata Diode Standard 800V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5µA @ 800V
Corrente - raddrizzata media (Io) 12A
Capacità a Vr, F -
Microsemi Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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