Casa Centro di prodotti Prodotti a semiconduttore discreti Transistor-bipolare (BJT)-matriciJAN2N3811U

JAN2N3811U

Modello di prodotti :	JAN2N3811U
Costruttore / Marca :	Microsemi
Descrizione :	TRANS 2PNP 60V 0.05A
Stato RoHS :	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	4274 pcs
Specifiche
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	60V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	250mV @ 100µA, 1mA
Tipo transistor	2 PNP (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore	TO-78-6
Serie	Military, MIL-PRF-19500/336
Potenza - Max	350mW
imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	TO-78-6 Metal Can
Altri nomi	1086-20921 1086-20921-MIL
temperatura di esercizio	-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenza - transizione	-
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	300 @ 1mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	10µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	50mA

Microsemi Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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