Casa Centro di prodotti Prodotti a semiconduttore discreti Transistor-bipolare (BJT)-singoloJAN2N5416UA

JAN2N5416UA

Modello di prodotti :	JAN2N5416UA
Costruttore / Marca :	Microsemi
Descrizione :	TRANS PNP 300V 1A
Stato RoHS :	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	5985 pcs
Specifiche	JAN2N5416UA.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	300V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	2V @ 5mA, 50mA
Tipo transistor	PNP
Contenitore dispositivo fornitore	TO-5
Serie	Military, MIL-PRF-19500/485
Potenza - Max	750mW
imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Altri nomi	1086-16151 1086-16151-MIL
temperatura di esercizio	-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenza - transizione	-
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 1A 750mW Through Hole TO-5
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	30 @ 50mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)	1mA
Corrente - collettore (Ic) (max)	1A

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