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MBR50035CT

Modello di prodotti : MBR50035CT
Costruttore / Marca : GeneSiC Semiconductor
Descrizione : DIODE MODULE 35V 500A 2TOWER
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 460 pcs
Specifiche 1.MBR50035CT.pdf2.MBR50035CT.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 750mV @ 250A
Tensione - inversa (Vr) (max) 35V
Contenitore dispositivo fornitore Twin Tower
Velocità Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro Twin Tower
Altri nomi MBR50035CTGN
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C
Tipo montaggio Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 4 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo Schottky
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode
Descrizione dettagliata Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 500A (DC) Chassis Mount Twin Tower
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1mA @ 20V
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 500A (DC)
MBR50035CT
GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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