Modello di prodotti : | MUN5113DW1T1G |
---|---|
Costruttore / Marca : | ON Semiconductor |
Descrizione : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 1001518 pcs |
Specifiche | MUN5113DW1T1G.pdf |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 100mA |
Tensione - Ripartizione | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 50V |
Serie | - |
Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm) | 47k |
Resistenza - Base (R1) (ohm) | - |
Potenza - Max | 250mW |
Polarizzazione | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Altri nomi | MUN5113DW1T1G-ND MUN5113DW1T1GOSTR |
Di rumore (dB tip @ f) | 47k |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 10 Weeks |
codice articolo del costruttore | MUN5113DW1T1G |
Frequenza - transizione | 80 @ 5mA, 10V |
Descrizione espansione | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Descrizione | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 500nA |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |