Casa Centro di prodotti Prodotti a semiconduttore discreti Transistor-bipolare (BJT)-RFNE58219-T1-A

NE58219-T1-A

Modello di prodotti :	NE58219-T1-A
Costruttore / Marca :	CEL (California Eastern Laboratories)
Descrizione :	TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
Stato RoHS :	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5282 pcs
Specifiche	NE58219-T1-A.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	12V
Tipo transistor	NPN
Contenitore dispositivo fornitore	3-SuperMiniMold (19)
Serie	-
Potenza - Max	100mW
imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	SC-75, SOT-416
Altri nomi	NE58219-T1-ACT
temperatura di esercizio	125°C (TJ)
Di rumore (dB tip @ f)	-
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Guadagno	-
Frequenza - transizione	5GHz
Descrizione dettagliata	RF Transistor NPN 12V 60mA 5GHz 100mW Surface Mount 3-SuperMiniMold (19)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	60 @ 5mA, 5V
Corrente - collettore (Ic) (max)	60mA
Numero di parte base	NE58219

CEL (California Eastern Laboratories) Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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