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NSTB60BDW1T1G

Modello di prodotti : NSTB60BDW1T1G
Costruttore / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione : TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1236379 pcs
Specifiche NSTB60BDW1T1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Potenza - Max 250mW
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi NSTB60BDW1T1GOS
NSTB60BDW1T1GOS-ND
NSTB60BDW1T1GOSTR
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 40 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 140MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 150mA 140MHz 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 150mA
Numero di parte base NSTB60B
NSTB60BDW1T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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