Casa Centro di prodotti Prodotti a semiconduttore discreti Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzatoNSVMUN5133DW1T1G

NSVMUN5133DW1T1G

Modello di prodotti :	NSVMUN5133DW1T1G
Costruttore / Marca :	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione :	TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
Stato RoHS :	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	332017 pcs
Specifiche	NSVMUN5133DW1T1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore	SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie	Automotive, AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms
Potenza - Max	250mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	40 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	-
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA

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