Modello di prodotti : | NSVMUN5316DW1T1G |
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Costruttore / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descrizione : | TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6 |
Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 351208 pcs |
Specifiche | NSVMUN5316DW1T1G.pdf |
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Tipo transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Contenitore dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Serie | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Potenza - Max | 250mW |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Altri nomi | NSVMUN5316DW1T1G-ND NSVMUN5316DW1T1GOSTR |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 40 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenza - transizione | - |
Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |