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NTD5865N-1G

Modello di prodotti : NTD5865N-1G
Costruttore / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4566 pcs
Specifiche NTD5865N-1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 18 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi NTD5865N-1G-ND
NTD5865N-1GOS
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1261pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata N-Channel 60V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 43A (Tc)
NTD5865N-1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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