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NTTD1P02R2

Modello di prodotti : NTTD1P02R2
Costruttore / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
Stato RoHS : Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 5189 pcs
Specifiche NTTD1P02R2.pdf
Vgs (th) (max) a Id 1.4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore Micro8™
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V
Potenza - Max 500mW
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Altri nomi NTTD1P02R2OS
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 265pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.45A 500mW Surface Mount Micro8™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.45A
NTTD1P02R2
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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