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NVMFS5C442NLT1G

Modello di prodotti : NVMFS5C442NLT1G
Costruttore / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 40V 27A SO8FL
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 64248 pcs
Specifiche NVMFS5C442NLT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 2.8 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 83W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40V
Descrizione dettagliata N-Channel 40V 27A (Ta), 127A (Tc) 3.7W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Ta), 127A (Tc)
NVMFS5C442NLT1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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