| Modello di prodotti : | NVMFS6H800NT1G |
|---|---|
| Costruttore / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione : | TRENCH 8 80V NFET |
| Stato RoHS : | |
| quantità disponibile | 21340 pcs |
| Specifiche | NVMFS6H800NT1G.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 330µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Altri nomi | NVMFS6H800NT1G-ND NVMFS6H800NT1GOSTR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 42 Weeks |
| Stato senza piombo | Lead free |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5530pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 80V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 80V 28A (Ta), 203A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Ta), 203A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
