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NXPLQSC10650Q

Modello di prodotti : NXPLQSC10650Q
Costruttore / Marca : WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descrizione : DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
Stato RoHS :
quantità disponibile 19003 pcs
Specifiche NXPLQSC10650Q.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.85V @ 10A
Tensione - inversa (Vr) (max) 650V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AC
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 0ns
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-2
Altri nomi 1740-1223
934070147127
Temperatura di funzionamento - Giunzione 175°C (Max)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Descrizione dettagliata Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A Through Hole TO-220AC
Corrente - Dispersione inversa a Vr 230µA @ 650V
Corrente - raddrizzata media (Io) 10A
Capacità a Vr, F 250pF @ 1V, 1MHz
NXPLQSC10650Q
WeEn Semiconductors Co., Ltd WeEn Semiconductors Co., Ltd Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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