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PBLS1502V,115

Modello di prodotti : PBLS1502V,115
Costruttore / Marca : NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione : TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
Stato RoHS : Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4742 pcs
Specifiche PBLS1502V,115.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V, 15V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
Tipo transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Contenitore dispositivo fornitore SOT-666
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Potenza - Max 300mW
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666
Altri nomi 568-7219-2
934058048115
PBLS1502V T/R
PBLS1502V T/R-ND
PBLS1502V,115-ND
PBLS1502V115
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 280MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 15V 100mA, 500mA 280MHz 300mW Surface Mount SOT-666
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max) 1µA, 100nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA, 500mA
Numero di parte base PBLS1502
PBLS1502V,115
NXP Semiconductors / Freescale NXP Semiconductors / Freescale Le immagini sono solo di riferimento. Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
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