| Modello di prodotti : | PDTA113ES,126 |
|---|---|
| Costruttore / Marca : | NXP Semiconductors / Freescale |
| Descrizione : | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
| Stato RoHS : | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4398 pcs |
| Specifiche | PDTA113ES,126.pdf |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 150mV @ 1.5mA, 30mA |
| Tipo transistor | PNP - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-92-3 |
| Serie | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Potenza - Max | 500mW |
| imballaggio | Tape & Box (TB) |
| Contenitore / involucro | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Altri nomi | 934058783126 PDTA113ES AMO PDTA113ES AMO-ND |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 40mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 1µA |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
| Numero di parte base | PDTA113 |
